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电子元器件详细资料 » IC[34449] » ZXMN2A02N8TA
型号:ZXMN2A02N8TA类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C20 毫欧 @ 11A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18.9nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1900pF @ 10V
功率_最大1.56W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳青禾创新科技有限公司曾先生086-0755-82778126
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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ZXMN2A02N8TA相关型号

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