型号:ZXMN2A02N8TA | 类别:FET - 单 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 20 毫欧 @ 11A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18.9nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1900pF @ 10V |
功率_最大 | 1.56W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳青禾创新科技有限公司 | 曾先生086-0755-82778126 |
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